STUDI AWAL PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS GAN DENGAN TEKNIK SPIN-COATING

Dadi Rusdiana, Andi Suhandi, Yuyu R. Tayubi

Abstract


GaN merupakan material semikonduktor yang memiliki nilai celah pita energi (Eg ) sekitar 3,45 eV pada temperatur ruang dengan struktur transisi langsung. Keadaan ini membuat GaN sangat potensial untuk aplikasi divais optoelektronik yang beroperasi para rentang panjang gelombang UV. Dalam studi ini telah dilakukan uji penumbuhan lapisan (GaN) di atas  substrat Si (100) dan Al2O3 (0001) dengan teknik  sol-gel spin-coating dengan menggunakan kristal gallium-citrate-amine sebagai prekursor Ga. Teknik ini tergolong sederhana, mudah pengoperasiannya dan relative murah. Hasil karakterisasi lapisan GaN yang berhasil ditumbuhkan menunjukkan bahwa baik yang ditumbuhkan di atas substrat  Si (100) maupun  Al2O3 (0001) masih memiliki struktur polikristal.  Kualitas morfologi lapisan GaN masih relatif rendah, dengan ketebalan rata-rata berkisar antara 1-1,5 m. Nilai celah pita energi lapisan GaN yang ditumbuhkan di atas Al2O3 (0001) berdasarkan hasil karakterisasi UV-Vis spectroscopy adalah sekitar 3.20 eV. Nilai ini masih sedikit lebih rendah dari nilai idealnya.

Keywords


Lapisan GaN; teknik spin-coating; metode sol gel

Full Text:

PDF

References


Nakamura, S., Fasol, G., The Blue Laser Diode, Springer: Berlin, 1997.

M. Razeghi, M., and Rogalski, A., J. Appl. Phys. 1996;79(10)

Monroy, E., Calle, F., Pau, J. L., Munoz, E., Omnes, F., Beaumont, B., Gibart, P., Phys. Stat. Sol. (a) 2001;185: 91

Amano, H., Kito, M., Hiramutsu, K., Akasaki, I., Jpn. J. Appl. Phys. 1989; 28 : L2112

Nakamura, S., Senoh, M., Mukai, T., Jpn. J. Appl. Phys. 1991; 30 : L1998

Khan, M. A., Kuznia, J. N., Bhattarai, A. R., Olson, D. T., Appl. Phys. Lett., 1993;63(9):1214

Okano, H., Tanaka, N., Takahashi, Y., Tanaka, T., Shiabata, K., Nakano, S., Appl. Phys. Lett., 1994;64:166

Takeuchi, T., Hirosawa, K., Amano, H., Hiroawsa, K., Akasaki, I., J. Cryst. Growth 1993;128:391

Yoshida, S., Misawa, S., Gonda, S., Appl. Phys. Lett., 1983;42:427

takeuchi, T., Amano, H., Hiramatsu, K., Sawaki, N., Akasaki, I., J. Cryst. Growth 1991;115:634

Ponce, F. A., Major Jr., J. S., Plano, W. E., Welch, D. F., Appl. Phys. Lett., 1994;65(18):2302

Devi, A., Rogge, W., Wohlfart A., Hipler, F., Becker, H. W., Fishcer, R. A., Chem Vap Deposition 2000;6(5):245

Detchprohm, T., Hiramatsu, K., Sawaki, N., Akasaki, I., J. Cryst. Growth 1994;137:171

Nakamura, S., Harada, Y., Senoh, M., Appl. Phys. Lett., 1991;58(18):2021

Sugianto, Sani, R. A., Arifin, P., Budiman, M., Barmawi, M., J. Cryst. Growth 2000;221:311

Raju, A. R., Sardar, K., Rao, C. N. R., Mater. Sci. Semicond. Proc., 2001;4:549

O’Brien, P., Salacinski, H., Motevalli, M., J. Am. Chem. Soc., 1997;119:12695

Madelung, O., Semiconductor Basic Data, 2nd edition, (1996)




DOI: https://doi.org/10.18269/jpmipa.v5i2.35660

DOI (PDF): https://doi.org/10.18269/jpmipa.v5i2.35660.g15159

Refbacks

  • There are currently no refbacks.


Copyright (c) 2021 Jurnal Pengajaran MIPA

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.

JPMIPA http://ejournal.upi.edu/index.php/jpmipa/index is licensed under a Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License

Jurnal Pengajaran Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam (JPMIPA) or Journal of Mathematics and Science Teaching 

All rights reserverd. pISSN 1412-0917 eISSN 2443-3616

Copyright © Faculty of Mathematics and Science Education (FPMIPA) Universitas Pendidikan Indonesia (UPI)

 

View JPMIPA Stats