STUDI AWAL PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS GAN DENGAN TEKNIK SPIN-COATING

Abstract

GaN merupakan material semikonduktor yang memiliki nilai celah pita energi (Eg ) sekitar 3,45 eV pada temperatur ruang dengan struktur transisi langsung. Keadaan ini membuat GaN sangat potensial untuk aplikasi divais optoelektronik yang beroperasi para rentang panjang gelombang UV. Dalam studi ini telah dilakukan uji penumbuhan lapisan (GaN) di atas  substrat Si (100) dan Al₂O₃ (0001) dengan teknik  sol-gel spin-coating dengan menggunakan kristal gallium-citrate-amine sebagai prekursor Ga. Teknik ini tergolong sederhana, mudah pengoperasiannya dan relative murah. Hasil karakterisasi lapisan GaN yang berhasil ditumbuhkan menunjukkan bahwa baik yang ditumbuhkan di atas substrat  Si (100) maupun  Al₂O₃ (0001) masih memiliki struktur polikristal.  Kualitas morfologi lapisan GaN masih relatif rendah, dengan ketebalan rata-rata berkisar antara 1-1,5 m. Nilai celah pita energi lapisan GaN yang ditumbuhkan di atas Al₂O₃ (0001) berdasarkan hasil karakterisasi UV-Vis spectroscopy adalah sekitar 3.20 eV. Nilai ini masih sedikit lebih rendah dari nilai idealnya.